微固学院 “Resistive Switching Random Access Memory Devices Using γ-APTES as Insulator Layer”讲座顺利开展
发布于:2017-06-22 10:48:31   |   作者:[学院] 微固学院   |   浏览次数:1217
 

为了进一步提升我校学子的国际视野,受我院邀请,台湾国立暨南国际大学电机工程学系吴幼麟教授,于2017619日到我校进行了名为“Resistive Switching Random Access Memory Devices Using γ-APTES as Insulator Layer”的讲座。本次报告由微固学院龚天巡老师主持,吸引了不少微固老师和学子到场学习。

       

吴幼麟教授是台湾国科会高科技设备前瞻技术发展计划技术发展委员会委员,其主要研究领域包括: 薄闸极氧化层纳米电特性、固态生医感测器、 有机半导体传导特性、薄膜太阳能电池。在我校首届“研究生人文教育与学术交流月”活动中,吴幼麟教授就曾为我校研究生开设了高水平学术课程“Resistive Switching Memory Technology”。吴教授在本次讲座中介绍了γ-APTES材料用于RRAM的一种新型应用,关于该应用的论文即将发表。报告通过实验过程中的详细数据和测试图形展示了γ-APTES用于RRAMMIM结构中的绝缘层之后所显示出的unipolar开关特性,以及不需要forming的应用特点,并且验证了通过在γ-APTES层中嵌入ZnO纳米粒子可以改善器件的稳定性和可靠性。

     

在互动交流环节,师生们针对报告中感兴趣的问题提出了疑问,吴教授一一进行了详细的讲解和答疑。此次讲座,对于从事RRAM方向研究的师生来说受益匪浅。


    本次讲座是我校第二届“研究生人文教育与学术交流月”高水平学术专题系列讲座之一。同时,为了进一步同我校师生共同探讨“阻变存储器”的最新研究生成果和发展动态,吴教授还在此次“人文交流月”中,为我校研究生同学开设了高水平学术课程“阻变存储器”,欢迎各位同学加入本课程的学习。