史晓红 博士生
内容简介：载流子的传输性质是近年来半导体研究的的重要方向，态密度对载流子的传输性质有大的影响，目前广泛使用的态密度有高斯和指数态密度，但是只用高斯或指数态密度却不能很好的在宽广的浓度范围内去描述载流子的迁移运动，因此2009年Torricelli等人将态密度假设成高斯和指数的混合来描述载流子的迁移率，数值结果表明混合的态密度在宽广的浓度范围内能很好的描述实验结果但可调参数较多，基于这些问题我们提出了一种新的态密度，基于这种新的态密度我们的数值结果表明能够很好的描述实验结果。
报告人简介：史晓红, 博士研究生, 主要从事半导体材料与器件的研究
博士生导师：孙久勋教授
d1和d7离子体系自旋哈密顿参量的理论研究
丁长春 博士生
内容简介：很多功能材料的光学和磁学等性能强烈依赖于其中过渡离子杂质的局部结构性质（如占位、对称性和局部晶格畸变等），而上述局部结构性质可借助电子顺磁共振谱测量的自旋哈密顿参量作出合理的分析。另一方面，d1和d7离子是过渡族中非常重要的体系，涉及轨道角动量、Jahn-Teller效应和低对称畸变等诸多科学问题，具有很好的理论研究价值。本工作基于考虑配体轨道和旋轨耦合作用的离子簇模型, 利用低对称（四角、斜方或正交）下d1和d7离子自旋哈密顿参量的微扰公式,针对一些前人未曾处理或满意解释的体系作出理论分析，在合理解释自旋哈密顿参量实验结果的基础上获得杂质局部结构信息。此外，还结合ORCA软件对含上述杂质离子的体系进行局部结构优化和自旋哈密顿参量的理论计算，并与前面基于自旋哈密顿参量微扰公式的结果作出比较，找出规律性的东西。
报告人简介：丁长春, 博士研究生, 主要从事新型功能材料和光谱学的研究
博士生导师：邬劭轶教授
具有最近邻、次近邻及四自旋耦合的Ising模型的相变研究
杨宇明 博士生
内容简介：经典的Ising模型一直是统计力学中的研究热点，我们用基于概率论的方法研究了具有最近邻、次近邻及两种特殊四自旋耦合的简立方体上的Ising模型。通过建立局部统计量之间的相关关系，计算了系统的配分函数，进而讨论了相变点和相变属性，同时还指明了平均场计算中可能的误差来源。
报告人简介：杨宇明，博士研究生, 主要从事计算物理、Ising模型中的相变问题
博士生导师：滕保华
报 告 时 间： 2016年10月20日下午3:00
报 告 地 点：物电楼507
主持人：孙久勋 教授
