题  目: FinFET晶体管组件及其制程技术介绍

主讲人: 廖文翔（教授）  

主持人: 李  平（教授）

简  介:

       廖文翔，1959年生，汉族，籍贯台湾苗栗，祖籍广东梅县。1996年获国立台湾大学电机工程研究所固态电子组工学博士学位。2004年和2006年先后受聘于台湾国立联合大学和国立清华大学担任顾问及兼职教授，2010年受聘于台湾国立交通大学半导体人才培训中心担任顾问兼任教授。同时，2010年进入湖北大学物理学与电子技术学院担任楚天学者讲座教授；2016年进入武汉大学电子信息学院担任客座教授。多年来一直从事集成电路半导体芯片制程和3D IC测试封装方面的研究工作，在IEEE和SCI收录的众多国内外重要期刊上发表论文30余篇，包括《IEEE-EDL》《IEEE-TED》，《Applied Physics Letters》和《Journal of Applied Physics》等。在国际学术会议上发表论文120余篇，包括《VLSI》，《IEDM》和《IRPS》等共计7篇。作为发明人申请美国发明专利获证17项、台湾发明专利获证27项、中国国家发明专利获证3项。曾多次担任国际电子电机学会（IEEE）学术论文评审。1999年获得台湾世界先进集成电路公司颁发的制程技术研发杰出奖，2002年获华邦电子股份有限公司颁发专利提案第一名的“发明王”奖，2004年获联华电子股份有限公司颁发的荣升奖。
      超大集成电路(ULSI)在半导体业界持续精进研发微缩至16/14nm制程技术时，已经正式进入鳍式晶体管(Fin Field Effect Transistor; FinFET)的时代；本次学术报将循序渐进，深入浅出地先针对MOSFET前瞻性组件及技术(< 65nm)，从基础之CMOS操作原理及其制程技术开始，然后再深入介绍SOI (Silicon on Insulator)晶体管组件之操作原理, 最后进入FinFET晶体管组件之原理和实务介绍。同时也将顺便提及FinFET再搭配Hi-K/Metal Gate，Strained-Si以及SiGe-channel等前瞻性组件及其制程技术的功能性再增强之介绍。

  热忱欢迎广大师生积极参与！

时  间: 2016年12月13日（周二）下午15点00