学科建设
微电论坛(第624期)
发布于:2017-05-19 10:30:01   |   作者:[学院] 微固学院   |   浏览次数:2806

  : MaxFET3 Technology Industrialization—Concept to Engineering to Production

主讲人: 曾军(博士)

主持人: 陈星弼(中国科学院院士)

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    In this talk, using MaxFET3 product line as an example, the methodology for developing Power semiconductor technology and its product line from basic “Concept” innovation to “Engineering” realization to “Product” industrialization is presented. The emphasis are given to Fab/Equipment Assessment, DFx (Design for Manufacturability, Design for Reliability, Design for Test, Design for Application), Process Development, Yield Improvement and Full Qualification/QA Practice, as well as Application Appraisal.

曾军博士,MaxPower半导体公司首席技术官(CTO)和执行副总裁(EVP)。在超过25年的职业生涯中, 一直从事功率半导体技术和产品开发。曾担任Clare Corp.(现为IXYS)首席芯片设计专家、Fairchild等著名半导体公司技术开发部门的技术主管工程师、Pyramis Corp.(台达电子子公司)首席技术官和副总裁、华润IPS的总裁兼首席技术官。他致力于功率半导体技术和产品开发,包括功率MOSFET、IGBT、光触发晶闸管LTT、BCD工艺技术、快速恢复二极管等。此外,他有丰富的FOUNDRY合作和工艺的开发经验,曾成功地将多种先进的功率半导体工艺生产技术转移到日本、欧洲、台湾、中国国内的FOUNDRY。

他发明或与人共同发明了100多项专利,在其基础上生产的多种产品在市场上接受度很高。例如,他在Fairchild时期共同发明并主导开发的高密度全自对准分栅(Split-Gate)功率沟槽技术,现已成为世界上中低压功率沟槽MOS技术的主要技术平台。他和Wheatley共同发明的dual-well/split-well技术成功地用于生产CS-IGBT和Stealth-FRED。他提出的“transient-to-steady”的数值仿真技术,目前已成为仿真和设计复杂的功率结终端结构的主要模拟技术之一。他和Board/Mawby教授提出的整流阴极结构成功地用于生产高可靠性的IGBT产品。最近,他在MXPOWER共同发明并开发成功实现大批量生产的RSFP和EHP双沟槽技术,已成为OptiMOS在性能和成本上最强竞争技术。同时,RSFP技术还成功地用于生产出工业界第一代通过全面可靠性测试的SiC-trench栅功率MOSFET产品。

     他在多个技术出版物(包括技术期刊和会议文献)上发表过30多篇文章,并担任功率半导体器件和集成电路国际会议(ISPSD)的技术委员会成员和分会主席。并长期担任IEEE-ED, IEEE-EDL, SSE等学术刊物的审稿人。

  热忱欢迎广大师生积极参与!

  : 2017519日(周五)下午1600

  : 沙河校区微固楼137会议室