题  目: ULSI前瞻性组件暨FinFET晶体管技术介绍

主讲人:廖文翔（武汉大学客座教授，台湾交通大学、清华大学兼职教授）    

主持人:王忆文（教授）

简  介:

超大集成电路(ULSI)在半导体业界持续精进研发微缩至16/14nm制程技术时，已经正式进入鳍式晶体管(Fin Field Effect Transistor; FinFET)的时代；本次学术报告将先针对MOSFET前瞻性组件及技术(< 65nm)，从CMOS操作原理及strained-Si组件、SiGe-channel组件之制程技术开始介绍、然后再深入介绍SOI (Silicon on Insulator)晶体管组件之操作原理, 最后进入3D FinFET晶体管组件之原理与实务介绍。同时也将介绍FinFET再搭配Hi-K/Metal Gate，Strained-Si以及SiGe-channel等等前瞻性组件及其制程技术之应用。

廖文翔，在台湾成功大学化学工程系取得学士学位，之后在美国加州大学洛杉矶分校(UCLA) 材料工程研究所电子组攻读硕士，于台湾大学电机工程研究所固态电子组获得工学博士学位。现为武汉大学客座教授、湖北大学楚天学者讲座教授，台湾交通大学、清华大学兼职教授，曾经担任台湾联华电子公司（UMC）中央研究发展部技术研发经理。

廖博士具有丰富的集成电路制造从业经历，长期工作于世界领先的台湾联电等IC制造业巨头，成功领导研发了32nm以下世代Vertical Double Gate MOSFET (FinFET)，45nm世代SiGe组件，Package Strained MOSFET等先进工艺，在本领域国际顶级期刊 APL, JAP, IEEE-EDL，IEEE-TED等发表论文30余篇，国际学术会议论文120余篇(IEDM, VLSI, IRPS, SSDM, SPIE,..等)；获美国专利18项，台湾专利27项，以及3项中国专利；审核中之各国发明专利案有50余项。1999年获得台湾世界先进集成电路公司颁发的制程技术研发杰出奖，2002年获华邦电子股份有限公司颁发专利提案第一名的“发明王”奖，2004年获联华电子股份有限公司颁发的荣升奖。

  热忱欢迎广大师生积极参与！

时  间: 2017年6月1日（周四）下午4点00分

地  点: 沙河校区微固楼420会议室