学科建设
微电论坛650期
发布于:2017-11-13 09:50:34   |   作者:[学院] 微固学院   |   浏览次数:3344

 : 新型阻变存储器的物理机制

主讲人赵宏武研究员

主持人: 林媛(教授)

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  下一代信息存储器件面临着记录单元尺寸减小导致的量子尺寸效应的挑战。针对现有经典存储信息器件进行升级,并开拓基于量子效应的量子信息存储新器件,是具有重大科学意义和应用前景的前沿课题。研究发现,在氧化物薄膜上施加电场会产生电阻的双稳态,可作为下一代的非易失存储器,有可能取代现有的内存、硬盘和闪存。本报告将介绍新型阻变存储器的物理机制,通过实验可以实时原位观察到高低阻态下导电通道形成和湮灭的动力学过程,从而可以澄清了若干基本物理机制并获得性能优良的阻变新材料。  

赵宏武中科院物理所研究员,博士生导师,课题组长。1991年毕业于天津大学物理系,1997年于南京大学物理系获得博士学位。2000年在德国马普金属所作访问学者。2001-2003 年在加州大学伯克利校区和劳伦斯-伯克利国家实验室作研究助理。2005-2007年期间在德国马普微结构物理所短期工作访问。主要的研究方向: 1.阻变存储器(RRAM)的材料、物理与器件。2.自旋电子学物理与材料研究;3.新型拓扑绝缘量子材料。 Phys. Rev. Lett. Phys. Rev. B.等国际学术期刊撰写科学论文100篇。

 

 

   热忱欢迎广大师生积极参与!

 : 20171116日(周)上午93011:30

 : 沙河校区微固楼137会议室

电子薄膜与集成器件国家重点实验室

国家电磁辐射控制材料工程技术研究中心

微电子与固体电子学院

 

 

 

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