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EE论坛:半导体器件高功率电磁脉冲效应时域分析方法研究
发布于:2017-11-21 10:41:46   |   作者:[学院] 电工学院   |   浏览次数:3292

讲座时间:1125日(周六) 15:00

讲座地点:科C218

讲座题目:半导体器件高功率电磁脉冲效应时域分析方法研究

主讲人:丁大志

 

报告简介:微电子设备集成度的不断提高,使其对电磁脉冲干扰与损伤效应的敏感程度随之增加,器件的可靠性问题研究越来越重要。但是,目前对高功率电磁脉冲对半导体器件毁伤效应的机理认识不足。本报告主要介绍时域谱元法用于半导体器件及电路高效建模和系统快速仿真的理论方法,实现各种电磁脉冲及高功率微波对基于真实物理模型的半导体器件毁伤过程的瞬态分析,得到半导体器件及电路结构中电信号与温度的时空分布,认识并解决半导体器件及电路中电热互相耦合、相互影响的本质与内在规律,为半导体器件及芯片设计以及为半导体器件电磁防护设计提供可靠的理论依据和分析手段。

 

主讲人简介:丁大志,教授,博士生导师,目前为南京理工大学通信工程系主任,国家优秀青年基金获得者,入选中组部青年拔尖人才计划,2009年全国百篇优秀博士论文提名奖获得者,2012年入选教育部“新世纪优秀人才支持计划”,2012年江苏省杰出青年基金获得者。主要研究领域为电磁理论与计算电磁学、目标电磁特性与识别技术等领域,在IEEE等期刊发表SCI收录论文90余篇,获授权专利19项,国际会议大会论文奖3项。