报告题目：激光图形化诱导分子束外延生长与半导体激光器简介（Molecular beam epitaxial growth induced by laser patterning and introduction of semiconductor laser）

 报告人：彭长四 苏州大学

报告时间：6月18日（周五）10：00-11：30

 报告地点：通信楼725会议室，电子科技大学沙河校区

 摘要：

 报告主要介绍GaAs晶圆基底上外延制备InAs纳米结构阵列材料：在超高真空材料外延生长的过程中通过激光干涉图案诱导，改变局部反应过程和/或局域应力分布，为纳米结构（例如：量子点/线）阵列的成核提供场所（能量最低位置）。

 个人简历：

  彭长四，苏州大学教授，光电学院公共平台主任，现任（英国）贝德福特大学和（英国）谢菲尔德大学客座教授。公开发表180余篇同行评审论文，SCI他人引用2000余次；专著1部（Springer）以及其他4部中每部1章；授权发明专利17个，授权实用新型专利2个。