主题：高频率真空电子器件及通信应用

主讲：冯进军

讲座时间：6月25日10:00

讲座地点：四号科研楼A420（清）

主讲人简介：冯进军，中国电子学会会士，英国IET Fellow，IEEE高级会员。现为中国电子科技集团公司首席科学家，国家重点实验室主任，IEEE EDS真空电子技术委员会委员，IEEE Transactions on Electron Devices编委。2019年获得IEEE真空电子学领域个人最高成就奖—皮尔斯奖，是首位获此殊荣的亚洲科学家。主要研究领域为真空电子学领域，提出广义真空电子学以及周期结构色散全维度开发的新概念，开辟了我国真空电子器件器件的新频段，实现了器件频率从毫米波段向太赫兹频段的跨越发展；牵头研制出系列毫米波空间行波管，并在卫星导航、星际数传、卫星通信等领域得到应用。

讲座内容简介：近年来，真空电子学和光电子学、微电子学，以及新型电磁超材料的融合和发展，出现了真空微纳电子学、太赫兹电子学、高频集成真空电子学等新方向，促进了真空电子器件由毫米波向太赫兹频段发展；同时高功率器件的性能不断提升。这些高频率和高功率真空电子器件在高速无线通信、视频合成孔径雷达、深空探测、医学诊疗等方面具有广泛的应用前景。本报告主要聚焦于高频率真空电子器件的现状和发展趋势，以及其在通信领域中的重要应用。