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物理论坛第9期-有机半导体态密度及其在材料与器件中的相关性质研究、d1和d7离子体系自旋哈密顿参量的理论研究
发布于:2018-04-13 16:31:13   |   作者:[学院] 物电学院   |   浏览次数:4130

有机半导体态密度及其在材料与器件中的相关性质研究

史晓红 博士生

内容简介:有机半导体材料作为新一代功能材料被广泛用来制作有机半导体器件如有机发光二极管,有机场效应晶体管,有机光伏电池和有机传感器等。载流子的传输运动是有机半导体材料研究的基本问题,因为它对有机半导体材料与器件的性能和效率有很重要的影响。有机半导体材料中载流子的传输机制是在局域态之间跃迁,但目前很多方面还不是很清楚。目前大部分文献用高斯态密度来分析有机半导体材料中载流子的传输运动,同时也有一些文献基于指数、高斯与指数组合或其他形式的态密度来研究载流子的传输运动,但是其结果会存在一定的误差,因此我们提出四种指数型态密度,基于这四种态密度从载流子迁移率,广义爱因斯坦关系和塞贝克系数三方面分析了载流子的传输运动。

报告人简介:史晓红, 博士研究生, 主要从事半导体材料与器件的研究

博士生导师:孙久勋教授

报告主持人:孙久勋  教授

 

 

 

 

 

d1d7离子体系自旋哈密顿参量的理论研究

丁长春 博士生

内容简介:很多功能材料(如非线性光学材料,高温超导材料和光学玻璃等)的光学和磁学等性能强烈依赖于其中过渡离子杂质的局部结构性质(如占位、对称性和局部晶格畸变等),而上述局部结构性质可借助电子顺磁共振谱测量的自旋哈密顿参量作出合理的分析。d1, d7和d9离子是过渡族中具有代表性的重要体系,涉及不同强度晶场和自旋态以及Jahn-Teller效应引起的低对称畸变等诸多科学问题,具有很好的理论研究价值。本工作基于考虑配体轨道和旋轨耦合作用的离子簇模型, 利用低对称(四角、斜方或正交)下d1, d7和d9离子自旋哈密顿参量微扰公式,针对一些前人未曾处理或满意解释的体系进行理论分析,在合理解释自旋哈密顿参量实验结果的基础上获得杂质局部结构信息。此外,还采用ORCA软件对含铜的浆轮型双核铜(II)配位聚合物的结构、g因子和小分子吸附等性质作出了第一性原理计算。

 

报告人简介:丁长春, 博士研究生, 主要从事新型功能材料和光谱学的研究

博士生导师:邬劭轶教授

报告主持人:邬劭轶  教授

 

   间: 2018419日下午4:00

   点:物电楼507

  

 

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