| 答辩人 | 刘成艺 | 学院 | 集成电路科学与工程学院（示范性微电子学院） | 专业 | 电子科学与技术 |
| 导师 | 杜江锋 | 答辩时间 | 2025.05.23 14:30 | 答辩地点 | 电子科技大学清水河校区成电国际创新中心A425会议室 |
| 答辩题目 | 极端温度下硅基MOSFET器件特性及失效机理研究 | ||||
| 姓名 | 职称/职务 | 是否博导 | 从事学科、专业 | 工作单位 | |
| 主席 | 龚敏 | 正高级 | 是 | 物理学 | 四川大学 |
| 宁宁 | 教授 | 是 | 电子科技大学 | ||
| 冯全源 | 正高级 | 是 | 电子科学与技术 | 西南交通大学 | |
| 刘洋 | 教授 | 是 | 电子科技大学 | ||
| 周泽坤 | 教授 | 是 | 电子科技大学 |
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