扫描非线性介电显微镜的原子分辨率在尖端半导体材料与器件研究中的应用
特邀专家：Yasuo Cho 日本东北大学
讲座时间：2025年6月27日 10:00
讲座地点：国际创新中心B504报告厅
主讲人简介：
Yasuo Cho,1980年毕业于日本东北大学电气工程系，1985年起任东北大学电气通信研究所助理研究员，1990年获山口大学副教授职称，1997年任东北大学电气通信研究所副教授，2001年晋升该研究所教授，2022年转任东北大学创新产业孵化中心特聘教授。Yasuo Cho曾参与多项国家级研究项目，总经费约为3亿日元（近2千万元人民币）。他于2020年编撰出版《扫描非线性介电显微术》。其主要研究领域包括：铁电材料的非线性现象及其应用、扫描非线性介电显微技术（SNDM）研究、基于SNDM的半导体材料与器件评估分析以及新一代超高密度铁电数据存储技术（SNDM铁电探针存储器）。
近年来原子级厚度的范德华半导体的微观载流子分布已通过新型SNDM技术成功实现测量，本讲座也将涵盖这一前沿进展。除此之外，本讲座还将揭示SNDM为半导体材料与器件物理研究带来的全新发现，这些成果是难以通过其他方法获得的。
内容简介：
本讲座主要介绍扫描非线性介电显微技术（SNDM），它在半导体材料与器件的表征中表现卓越。该技术具备全球最高的电容检测灵敏度和分辨率，能满足工业界、学术界及学生群体在铁电、介电、半导体及扫描探针显微技术领域的研究需求。通过SNDM技术，参与者将能够：
1.分析尖端半导体器件微结构中的参杂分布；
2.对工作状态下半导体器件的载流子分布进行原位测量；
3.可视化其他方法无法检测的器件耗尽层分布；
4.首次以二维形式呈现MOS界面陷阱密度（D~it~）分布；
5.实时（纳秒级）观测半导体材料与器件中的载流子运动。
