超结功率MOSFET在高效功率系统中的关键问题与突破策略
特邀专家：李平 华润微电子（重庆）有限公司
讲座时间：2025年6月25号 9:30
讲座地点：国际创新中心B504报告厅
主讲人简介：
李平，博士师从中国功率半导体泰斗、电子科技大学陈星弼院士，深耕功率器件与芯片设计领域，具备深厚的理论积淀与产学研融合视角。曾任重庆大学青年教师，现加入华润微电子从事功率芯片设计工作。入选中科协青年人才托举工程者，中科协青年委员，中央企业骨干人才等。华润集团首个青年人才创新基地负责人，华润微电子功率器件事业群芯片设计分会主席，统筹技术路线规划、新技术平台开发、核心技术解决。在IEEE EDL、TED、ISPSD等功率半导体领域顶级期刊发表论文30余篇（第一作者18篇），其中以第一作者发表的硅基功率器件研究论文入选2022年IEEE EDL封面论文（全球当年唯一入选的硅基工作）。申请中外发明专利30余项，部分技术打破国际巨头垄断，并实现大规模量产，推动国产功率芯片自主可控。主持国家及省部级科研项目多项，并作为核心骨干参与国资委、工信部重大专项，助力关键技术攻关。主导开发多个FOM全球领先的功率MOSFET芯片平台。内容简介：
随着电力电子系统向高效化、高密度化方向发展，超结功率MOSFET（Super Junction MOSFET, SJ-MOSFET）因其优异的比导通电阻与耐压性能，成为中高压领域（600V-900V）的核心器件。然而，其在动态特性、可靠性及系统应用中的瓶颈问题仍需持续解决。本次讲座将围绕超结MOSFET的三大关键挑战——比导通电阻优化、反向恢复优化和振荡优化。结合产业一线需要，深入探讨其物理机理、技术难点及前沿突破策略，为高效功率系统的设计与器件开发提供新思路。
