题  目: 硅基III族氮化物半导体材料生长与器件制备研究

主讲人: 孙钱（教授）

主持人: 周琦（副教授）

简  介:

第三代半导体III族氮化物材料具有直接带隙且连续可调、击穿电压高、电子迁移率高等特点，在发光与探测等光电子器件、以及高温、高频、高压功率电子器件方面有着广泛的应用前景。在大尺寸、低成本硅衬底上外延生长制备氮化镓（GaN）基光电子与功率电子器件不仅有望大幅降低制造成本，还能开发出我国有自主知识产权的核心技术，为相关产业的健康发展提供支撑。本报告将首先介绍在硅衬底上外延生长高质量GaN材料的关键难点与技术解决方案，然后重点讨论硅基GaN蓝白光/紫外LED、激光器、以及增强型HEMT电力电子器件的研制及其产业化展望。

孙钱，中国科技大学材料物理学士（郭沫若校长奖获得者）、美国耶鲁大学博士（工学院Becton奖获得者），国家技术发明一等奖获得者，国家优秀青年基金获得者，中组部首批国家“青年”，科技部高新司“第三代半导体材料”项目总体专家组成员。现任中科院苏州纳米所研究员、博导、器件部副主任。长期致力于硅基III族氮化物半导体材料生长与器件制备研究。通过与晶能光电有限公司的产学研实质性合作，带领团队研发出硅衬底GaN基高效LED的外延及芯片技术，并在全球率先产业化。2016年成功研制了国际上首支硅衬底GaN基蓝紫光激光器。主持承担了国家重点研发计划课题、863计划课题、中科院前沿科学重点研究项目、中科院科技服务网络STS计划重点项目、江苏省科技成果转化专项等。迄今为止，在Nature Photonics、Applied Physics Letters等期刊上发表了70余篇被SCI收录的学术论文，总引用1000余次，是20余项美国和中国发明专利的发明人。   

热忱欢迎广大师生积极参与！

时  间: 2017年4月26日（周三）下午15点00分

地  点: 沙河校区微固楼137会议室